Rekrystallisasjon av silisiumkarbid er tema for doktoravhandlingen til sivilingeniør Lars Holger Lindstad (36) fra Trondheim ved Norges teknisk-naturvitenskapelige universitet NTNU.
Arbeidet er viktig i utviklingen av en ny silisiumkarbidprosess, men resultatene kan også brukes til å redusere tapene og til å produsere en renere silisiumkarbid fra dagens prosess.
Norge står for ca. 10 prosent av verdensproduksjonen av silisiumkarbid, med Saint Gobains anlegg i Arendal og Lillesand som de største. Lindstad har arbeidet med å utvikle en ny energiøkonomisk prosess med betydelig reduksjon i utslipp av SO 2 og støv.
Silisiumkarbid er nesten like hardt som diamant, tåler store temperatursvingninger og er en god halvleder. Lindstad har studert det andre trinnet av en ny prosess for miljøvennlig fremstilling av silisiumkarbid, hvor en unngår utslipp av flyktige hydrokarboner, reduserer utslipp av svovel med mer enn 95 prosent, reduserer støvutslipp fra prosessen kraftig, samt gjenvinner energi i form av strøm og varme.
Han fastslår at en med den nye prosessen kan fremstille silisiumkarbid med meget høy kvalitet. De viktigste delreaksjonene i silisiumkarbidprosessen er funnet, og ut fra dette kan en styre prosessen for å få minst mulig tap og en renere silisiumkarbid til bruk i for eksempel fremstilling av silisiumkarbid halvledere.
I arbeidet er det utviklet nye teknikker for å kunne bestemme mengden av de forskjellige typene (polytypene) av silisiumkarbid, og disse er brukt til å finne under hvilke forhold de forskjellige polytypene dannes.
Avhandlingen har tittelen "Rekrystallisasjon av silisiumkarbid". Arbeidet er utført ved Institutt for materialteknologi og elektrokjemi, NTNU, med professor Johan Kristian Tuset som veileder. Arbeidet er finansiert av Saint Gobain, Norges forskningsråd, Elkems forskningsfond og NTNU.
